STW26NM60

Версия для печати

Технические характеристики STW26NM60

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	MDmesh™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	135 mOhm @ 13A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	30A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	102nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2900pF @ 25V
Power - Max	313W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STW26NM60 (MOSFET)

N-CHANNEL 600V - 0.125? - 30A TO-247 MDmesh™ MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STW26NM60 datasheet
243.2 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4734A T/B	Стабилитрон 1W 5,6V	DC COMPONENTS	4 833	3.53
1N4734A T/B	Стабилитрон 1W 5,6V
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W		1	159.60
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	TOSHIBA	55	76.00
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	TOS
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	КИТАЙ
2SD2499	Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 6A, 50W	ISCSEMI
30CTQ060	2 диода Шоттки 30А 60В TO220AB	VISHAY
30CTQ060	2 диода Шоттки 30А 60В TO220AB	RECTIFIER
30CTQ060	2 диода Шоттки 30А 60В TO220AB	INTERNATIONAL RECTIFIER	532	178.50
30CTQ060	2 диода Шоттки 30А 60В TO220AB			144.00
30CTQ060	2 диода Шоттки 30А 60В TO220AB	Vishay/Semiconductors
30CTQ060	2 диода Шоттки 30А 60В TO220AB	WUXI XUYANG	799	149.80
30CTQ060	2 диода Шоттки 30А 60В TO220AB	KLS
30CTQ060	2 диода Шоттки 30А 60В TO220AB	1
ECA63В-47МКФ		HITANO
ECR63В-220МКФ		HITANO