|
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2 Ohm @ 3.6A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 6.1A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 190nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2800pF @ 25V |
Power - Max | 190W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-247-3 |
Корпус | TO-247-3 |
IRFPG50 (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SK1120 | Транзистор полевой N-FT 1000В 8A SOT93 | 219.64 | ||||||
2SK1120 | Транзистор полевой N-FT 1000В 8A SOT93 | TOSHIBA | ||||||
2SK1120 | Транзистор полевой N-FT 1000В 8A SOT93 | TOS | ||||||
2SK1120 | Транзистор полевой N-FT 1000В 8A SOT93 | ФИЛИППИНЫ | ||||||
2SK1365 | Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS | TOSHIBA | ||||||
2SK1365 | Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS | TOS | ||||||
2SK1365 | Транзистор N-MOS 1000В 7A TO3P-IS | |||||||
DHRB34C221M2BB | Конденсатор дисковый высоковольтный 15кВ, 220пф | MURATA | ||||||
DHRB34C221M2BB | Конденсатор дисковый высоковольтный 15кВ, 220пф | 44.32 | ||||||
DHRB34C221M2BB | Конденсатор дисковый высоковольтный 15кВ, 220пф | MUR | ||||||
К78-2-1000-0.056 10% | Плёночный конденсатор 0.056 мкФ 1000 В | 53.20 | ||||||
К78-2-1000-0.056 10% | Плёночный конденсатор 0.056 мкФ 1000 В | ПОЛИКОНД | ||||||
ТВС-110Л3 | ||||||||
ТВС-110Л3 |
|