IRFBC40LCPBF

Версия для печати

Технические характеристики IRFBC40LCPBF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 3.7A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.2A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	39nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1100pF @ 25V
Power - Max	125W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFBC40LCPBF (MOSFET)

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFBC40LCPBF datasheet
1.3 Мб