|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC4116-Y(TE85L) |
|
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SC4116-Y(TE85L) |
|
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
LA7848 |
|
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
LA7848 |
|
|
|
1
|
195.20
|
|
|
|
LA7848 |
|
|
SAN
|
|
|
|
|
|
LA7848 |
|
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
|
|
6.00
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
6 302
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
FAIRCHILD
|
64
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
MMBT3904LT1G |
|
Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
STD10PF06T4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STD10PF06T4 |
|
|
|
|
52.60
|
|
|
|
STD10PF06T4 |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
710
|
|
|
|
|
STD10PF06T4 |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STD10PF06T4 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STD10PF06T4 |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STD10PF06T4 |
|
|
VBSEMI
|
384
|
44.63
|
|
|
|
STRA6169 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 800V/Idp=1.2A, Pout=8W
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
STRA6169 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 800V/Idp=1.2A, Pout=8W
|
|
|
270.00
|
|
|
|
STRA6169 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 800V/Idp=1.2A, Pout=8W
|
SK
|
|
|
|