FSGM300N

IC PWM/SENSEFET SMPS 8-DIP

Версия для печати

Технические характеристики FSGM300N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	FPS™
Изоляция выхода	Isolated
Частотный диапозон	61kHz ~ 73kHz
Напряжение входное	13 V ~ 22.5 V
Напряжение выходное	650V
Мощность (Ватт)	40W
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус	8-DIP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FSGM300N datasheet

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SB817	Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц	SANYO
2SB817	Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц		312	75.40
2SB817	Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц	SAN
2SB817	Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц	ISCSEMI
2SC5198+2SA1941 ПАРА	Транзисторы биполярные 2SC5198+2SA1941 ПАРА	TOS
AO3407A		Alpha & Omega Semiconductor Inc
AO3407A		AOS	684	13.49
AO3407A			4 160	2.28
AO3407A		A&O
AO3407A		ALPHA & OMEGA
AO3407A		YOUTAI	15 533	5.14
AO3407A		UMW
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ONS	1	187.58
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ON SEMICONDUCTOR
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223		1	196.56
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	ON SEMICONDUCTO
NCP1055ST100T3G	Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223	4-7 НЕДЕЛЬ
NCP1400ASN33T1G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1400ASN33T1G		ONS
NCP1400ASN33T1G		ON SEMICONDUCTOR
NCP1400ASN33T1G
NCP1400ASN33T1G		ONSEMICONDUCTOR
NCP1400ASN33T1G		4-7 НЕДЕЛЬ

FSGM300N

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Микросхемы

Питание

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают: