Версия для печати
Технические характеристики IRFP4332

Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	57A
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33 mOhm @ 35A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	150nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5860pF @ 25V
Power - Max	360W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SD5072		Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт	SAMSUNG
		2SD5072		Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт		1	390.00
		2SD5072		Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт	SAM
		2SD5072		Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт	UNKNOWN
		2SD5072		Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт		1	390.00
		2SD5072		Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт	FAIR
		2SD5072		Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт	SAVANTIC
		2SD5072		Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт	NO TRADEMARK
		2SD5072		Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт	ISCSEMI
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...			182.40
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST1
		ECAP 47/400V 1632 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 400 В, 105С	JAMICON
		ECAP 47/400V 1632 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 400 В, 105С			120.00
		ECAP 47/400V 1632 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 400 В, 105С	JAM
		ECAP 47/400V 1632 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 400 В, 105С	YAGEO
		TDA7386		Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB	ST MICROELECTRONICS
		TDA7386		Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB			470.48
		TDA7386		Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB	STMicroelectronics
		TDA7386		Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB	СИНГАПУР
		TDA7386		Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB	ST1
		TDA7388		УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB	ST MICROELECTRONICS
		TDA7388		УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB			440.00
		TDA7388		УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB	СИНГАПУР
		TDA7388		УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB	ST1
		TDA7388		УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB	ST MICROELECTRO
		TDA7388		УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB	STMICROELECTR

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"