2SD5072

Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SD5072	1	409.50
2SD5072	1	409.50

Полупроводниковые фотоэлементы - фоторезисторы обладают свойством менять свое активное сопротивление под действием падающего на них света. Фоторезисторы имеют высокую чувствительность к излучению в самом широком диапазоне - от инфракрасной до рентгеновской области спектра.
KSD 5072

Версия для печати

Технические характеристики 2SD5072

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	1500
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	800
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	8
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	60
Корпус	TO-3PB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт

2SD5072 datasheet
159,48kB
3стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SD1555	Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	TOSHIBA	26	124.74
2SD1555	Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)		1	509.04
2SD1555	Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	TOS
2SD1555	Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	UNKNOWN
2SD1555	Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	КИТАЙ
2SD1555	Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	NSC
2SD1555	Биполярный транзистор NPN+D (1500V, 5A, 50W)	ISCSEMI
HIS0169A	SMPS упpавление SMR 40000	SAMSUNG
HIS0169A	SMPS упpавление SMR 40000	SAM
HIS0169A	SMPS упpавление SMR 40000			96.56
HIS0169A	SMPS упpавление SMR 40000	SEC
HIS0169A	SMPS упpавление SMR 40000	4-7 НЕДЕЛЬ	151
MAC97A8	Симистор 600В, 0.6A	NXP	3 344	10.50
MAC97A8	Симистор 600В, 0.6A	PHILIPS	8 800	10.50
MAC97A8	Симистор 600В, 0.6A	MOTOROLA
MAC97A8	Симистор 600В, 0.6A		1 600	3.18
MAC97A8	Симистор 600В, 0.6A	MOTOROLA	480
MAC97A8	Симистор 600В, 0.6A	PHILIPS
MAC97A8	Симистор 600В, 0.6A	ON Semiconductor
MAC97A8	Симистор 600В, 0.6A	МЕКСИКА
MAC97A8	Симистор 600В, 0.6A	1
TDA7386	Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB	ST MICROELECTRONICS
TDA7386	Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB			470.48
TDA7386	Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB	STMicroelectronics
TDA7386	Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB	СИНГАПУР
TDA7386	Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB	ST1
TDA7386	Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB	4-7 НЕДЕЛЬ	441
TDA7388	УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB	ST MICROELECTRONICS
TDA7388	УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB			440.00
TDA7388	УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB	СИНГАПУР
TDA7388	УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB	ST1
TDA7388	УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB	ST MICROELECTRO
TDA7388	УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB	STMICROELECTR
TDA7388	УНЧ 4x26W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x41W, Gv=26dB	4-7 НЕДЕЛЬ	587