FDG6322C

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
FDG6322C (FAIRCHILD.)	1 620	3-4 недели Цена по запросу
FDG6322C	4	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики FDG6322C

Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 220mA, 4.5V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	N and P-Channel
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	220mA, 410mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	9.5pF @ 10V
Power - Max	300mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Корпус	SC-70-6
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDG6322C (N/P-канальные транзисторные модули)

Dual N and P Channel Digital Fet

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

FDG6322C datasheet
249.28Kb
12стр.