|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
74HC00N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC00N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC00N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC00N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2
|
|
|
28.96
|
|
|
|
74HC00N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC00N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
4
|
10.92
|
|
|
|
74HC00N |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И-НЕ 4 х 2
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
9.69
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
PHILIPS
|
266
|
9.69
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
DIOTEC
|
9 015
|
2.33
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
NXP
|
72
|
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
PHILIPS
|
39
|
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
|
841
|
7.20
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
24
|
2.23
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
KLS
|
1 388
|
2.74
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
HOTTECH
|
1 624
|
2.34
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
SEMTECH
|
131
|
2.26
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
ZH
|
26 400
|
1.37
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
BC546B |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN (Uce=65V, Ic=0.1A, P=625mW, B=200-450@I=2mA, ...
|
KOME
|
248
|
2.32
|
|
|
|
CD4066BE |
|
Стандартная логика 4 двунаправленных ключа
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CD4066BE |
|
Стандартная логика 4 двунаправленных ключа
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
272
|
55.10
|
|
|
|
CD4066BE |
|
Стандартная логика 4 двунаправленных ключа
|
|
4
|
21.60
|
|
|
|
CD4066BE |
|
Стандартная логика 4 двунаправленных ключа
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4066BE |
|
Стандартная логика 4 двунаправленных ключа
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
CD4066BE |
|
Стандартная логика 4 двунаправленных ключа
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
КРЕМНИЙ
|
106
|
1 147.50
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
|
63
|
805.00
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
БРЯНСК
|
199
|
1 250.00
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
КРЕМНИЙ
|
9
|
1 167.90
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
|
77
|
822.50
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ФЗМТ
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
БРЯНСК
|
89
|
1 450.00
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ЭЛЕКТРОПРИБОР
|
|
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
ФРЯЗИНО
|
697
|
470.00
|
|
|
|
КТ827А |
|
Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N
|
RUS
|
|
|
|