|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AQY221N1S |
|
|
PAN
|
|
|
|
|
|
AQY221N1S |
|
|
Panasonic Electric Works
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
DIOTEC
|
37 956
|
5.18
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
|
20 400
|
1.50
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
HOTTECH
|
176 379
|
2.83
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
LGE
|
843
|
1.97
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
SEMTECH
|
16
|
2.88
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DC COMPONENTS
|
3
|
2.61
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIOTEC
|
183 462
|
1.02
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
196
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
1 212
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
976
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
|
100 020
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
HOTTECH
|
79 622
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEX-NXP
|
2 240
|
8.86
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SEMTECH
|
17 524
|
1.46
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YJ
|
288 060
|
1.18
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH/NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
CTK
|
3 055
|
1.60
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
OLITECH ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SUNTAN
|
23 440
|
1.82
>100 шт. 0.91
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
111
|
40.00
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
|
1
|
82.80
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
1 253
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRFR024N |
|
N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)
|
1
|
|
|
|
|
|
LT1781CS |
|
|
LTC
|
|
|
|
|
|
LT1781CS |
|
|
LINEAR TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
LT1781CS |
|
|
|
|
672.00
|
|
|
|
LT1781CS |
|
|
LINEAR TECHNOLOGY
|
111
|
|
|