|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
DC COMPONENTS
|
1
|
2.44
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
DIOTEC
|
37 876
|
56.17
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
|
12 000
|
1.58
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
HOTTECH
|
161 827
|
2.94
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
LGE
|
12 122
|
1.97
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
SEMTECH
|
16
|
3.14
|
|
|
|
BAV103 |
|
Импульсный диод smd (Vr=200V, If=0.20A, Ifsm=1A@t=1s)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DC COMPONENTS
|
3 856
|
2.92
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIOTEC
|
79 336
|
1.10
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
240
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
1 212
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
976
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
|
17 970
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
HOTTECH
|
19 399
|
1.13
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEX-NXP
|
64 000
|
3.94
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SEMTECH
|
3 146
|
1.36
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YJ
|
1 563 572
|
1.29
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH/NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
CTK
|
3 031
|
1.60
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
OLITECH ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SUNTAN
|
74 197
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
DC COMPONENTS
|
107 178
|
2.35
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
PHILIPS
|
7 248
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
KINGTRONIC
|
|
|
|
|
|
BZV55-C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
KINGTRONICS
|
6 416
|
1.98
>100 шт. 0.99
|
|
|
|
LM2936DT-5.0 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM2936DT-5.0 |
|
|
|
|
194.08
|
|
|
|
LM2936DT-5.0 |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM2936DT-5.0 |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LT1781CS |
|
|
LTC
|
|
|
|
|
|
LT1781CS |
|
|
LINEAR TECHNOLOGY
|
|
|
|
|
|
LT1781CS |
|
|
|
|
672.00
|
|
|
|
LT1781CS |
|
|
LINEAR TECHNOLOGY
|
100
|
|
|