IRG4PC40UD
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, Vce(on)=1.72V(typ), P=160W@t=25C, P=65W@t=100C, -55 to +150C)
|
|
Версия для печати
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 20A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40A |
| Power - Max | 160W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 (TO-247AC) |
| Корпус | TO-247AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4PC40UD (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SA1295 |
|
Транзистор биполярный PNP Hi-Fi, 230V, 17A, 200W, 35MHz |
|
420.00 | ||
|
|
|
2SA1295 |
|
Транзистор биполярный PNP Hi-Fi, 230V, 17A, 200W, 35MHz | SANKEN |
|
|
|
| ECAP 150/400V 2525 HJ |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 400 В | SAMWHA |
|
|
|||
 |
|
IRG4PH50KD |
|
Транзистор IGBT | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50KD |
|
Транзистор IGBT | RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50KD |
|
Транзистор IGBT |
|
577.64 | ||
|
|
|
IRG4PH50KD |
|
Транзистор IGBT | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50KD |
|
Транзистор IGBT | INFINEON |
|
|
|
 |
АОУ163А | ПРОТОН | 311 | 74.78 | ||||
|
|
АОУ163А | 27 | 140.00 | |||||
|
|
АОУ163А | ИЗЛУЧАТЕЛЬ |
|
|
||||
|
|
АОУ163А | ПРОТОН |
|
|
||||
 |
АОУ179А |
|
(5П51) , (400В 100мА Uт.=0.4В) |
|
112.00 | |||
|
|
АОУ179А |
|
(5П51) , (400В 100мА Uт.=0.4В) | ПРОТОН | 26 | 86.59 | ||
|
|
АОУ179А |
|
(5П51) , (400В 100мА Uт.=0.4В) | ИЗЛУЧАТЕЛЬ |
|
|
||
|
|
АОУ179А |
|
(5П51) , (400В 100мА Uт.=0.4В) | ПРОТОН |
|
|
