|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SK2604 |
|
N-MOS 800V, 5A, 125W
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SK2604 |
|
N-MOS 800V, 5A, 125W
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SK2604 |
|
N-MOS 800V, 5A, 125W
|
|
|
|
|
|
|
2SK2604 |
|
N-MOS 800V, 5A, 125W
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
25
|
566.77
|
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...
|
|
|
491.08
|
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40UD |
|
Транзистор IGBT+DI модуль единичный (Vce=600V, Ic=40A@t=25C, Ic=20A@t=100C, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
PC111 |
|
Оптопаpа CTR=50-400%(5mA), Vce=35V
|
SHARP
|
|
|
|
|
|
PC111 |
|
Оптопаpа CTR=50-400%(5mA), Vce=35V
|
|
18
|
85.20
|
|
|
|
PC111 |
|
Оптопаpа CTR=50-400%(5mA), Vce=35V
|
1
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ST MICROELECTRONICS
|
720
|
34.88
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
|
3 178
|
20.66
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ST1
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TBA2800 |
|
RC входной усилитель тока фотодиода
|
ITT
|
|
|
|
|
|
TBA2800 |
|
RC входной усилитель тока фотодиода
|
|
|
58.24
|
|
|
|
TBA2800 |
|
RC входной усилитель тока фотодиода
|
MICRONAS
|
|
|
|