SQP 10W 5.1 5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SK1643	Транзистор полевой		1	398.40
2SK1643	Транзистор полевой	TOSHIBA
2SK2837	Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W	TOSHIBA
2SK2837	Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W			283.20
2SK2837	Транзистор N-MOS 500V, 20A, 150W	TOS
IRFPF40	Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFPF40	Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W	VISHAY
IRFPF40	Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W	SILICONIX
IRFPF40	Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W		8	440.00
IRFPF40	Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W	SILICONIX
IRFPF40	Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W	Vishay/Siliconix
IRFPF40	Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W	МЕКСИКА
IRFPF40	Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W	INTERNATIONAL RECTIFIER	12
IRGP4068D	IGBT транзистор 600В, 330Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRGP4068D	IGBT транзистор 600В, 330Вт
IRGP4068D	IGBT транзистор 600В, 330Вт	INFINEON
IRGP4068D	IGBT транзистор 600В, 330Вт	1
IRGP50B60PD1	Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRGP50B60PD1	Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц		1	457.60
IRGP50B60PD1	Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц	МЕКСИКА
IRGP50B60PD1	Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц	INFINEON
IRGP50B60PD1	Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц	IR/VISHAY	32	755.70