| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DC COMPONENTS
|
10 680
|
3.44
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
12.49
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DIOTEC
|
1
|
9.38
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
КИТАЙ
|
12
|
2.25
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
22 072
|
1.50
>500 шт. 0.50
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
CJ
|
4
|
1.40
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEEN SIDE
|
15 200
|
1.10
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
5
|
|
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
|
|
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
ONS
|
73
|
413.28
|
|
|
|
FGH40N60UFDTU |
|
Транзистор N канальный с изолированным затвором 600В, 80А, 290Вт
|
ONS-FAIR
|
885
|
406.59
|
|
|
|
IRGP4068D |
|
IGBT транзистор 600В, 330Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRGP4068D |
|
IGBT транзистор 600В, 330Вт
|
|
|
|
|
|
|
IRGP4068D |
|
IGBT транзистор 600В, 330Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRGP4068D |
|
IGBT транзистор 600В, 330Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
|
|
1 133.24
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRGP50B60PD1 |
|
Транзистор IGBT модуль единичный Nканал + диод 600В, 75А, 150 кГц
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
TNY278GN |
|
Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт
|
PWR
|
|
|
|
|
|
|
TNY278GN |
|
Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт
|
|
|
192.00
|
|
|
|
|
TNY278GN |
|
Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт
|
Power Integrations
|
|
|
|
|
|
|
TNY278GN |
|
Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
TNY278GN |
|
Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт
|
PI
|
|
|
|
|
|
|
TNY278GN |
|
Микросхема Off-Line TinySwitch-III 28Вт
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|