| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
|
24
|
20.80
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIRCHILD
|
32
|
7.26
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
FAIRCHILD
|
5
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
OTHER
|
266
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ONS
|
4 336
|
19.89
|
|
|
|
|
BS170 |
|
Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BS250FTA |
|
Драйвер изолированный модульный MOSFET P-канал, 45В, 90мA
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
|
BS250FTA |
|
Драйвер изолированный модульный MOSFET P-канал, 45В, 90мA
|
|
|
94.00
|
|
|
|
|
BS250FTA |
|
Драйвер изолированный модульный MOSFET P-канал, 45В, 90мA
|
ZTX
|
|
|
|
|
|
|
BS250FTA |
|
Драйвер изолированный модульный MOSFET P-канал, 45В, 90мA
|
Diodes/Zetex
|
|
|
|
|
|
|
BS250FTA |
|
Драйвер изолированный модульный MOSFET P-канал, 45В, 90мA
|
ZETEX
|
|
|
|
|
|
|
BS250FTA |
|
Драйвер изолированный модульный MOSFET P-канал, 45В, 90мA
|
DIODES INC.
|
|
|
|
|
|
|
BS250FTA |
|
Драйвер изолированный модульный MOSFET P-канал, 45В, 90мA
|
DIODES
|
2 784
|
39.71
|
|
|
|
|
MCP1702T-3302E/CB |
|
|
MICRO CHIP
|
14 398
|
40.00
|
|
|
|
|
MCP1702T-3302E/CB |
|
|
|
|
61.00
|
|
|
|
|
MCP1702T-3302E/CB |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
MCP1702T-3302E/CB |
|
|
MICRO CHIP
|
8 171
|
|
|
|
|
|
MCP1702T-3302E/CB |
|
|
JSMICRO
|
1 725
|
23.05
|
|
|
|
|
MCP1702T-3302E/CB |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
462
|
|
|
|
|
|
NE555DT |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
NE555DT |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
82
|
12.60
|
|
|
|
|
NE555DT |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
|
4
|
41.58
|
|
|
|
|
NE555DT |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
NE555DT |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
NE555DT |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
|
NE555DT |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555DT |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
NE555DT |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555DT |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
62
|
|
|
|
|
|
КТ610Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный, для ...
|
|
14
|
793.80
|
|
|
|
|
КТ610Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный, для ...
|
МИНСК
|
|
|
|
Версия для печати
