BNC ГНЕЗДО НА БЛОК, ГАЙКА

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BNC ГНЕЗДО НА БЛОК, ФЛАНЕЦ 4 ОТВ.
BNC ГНЕЗДО НА БЛОК, ФЛАНЕЦ 4 ОТВ.		КИТАЙ
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAI/QTC
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAIR
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ON SEMICONDUCTOR
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FSC
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт		24	20.80
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAIRCHILD	8	7.50
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	FAIRCHILD	5
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ON SEMICONDUCTOR
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	OTHER	266
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	Fairchild Semiconductor
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ФИЛИППИНЫ
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ON SEMIC
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ONS
BS170	Транзистор N-канальный полевой 60В, 500 (1200) мА, 830Вт	ONS-FAIR	16	18.78
BS250FTA	Драйвер изолированный модульный MOSFET P-канал, 45В, 90мA	ZETEX
BS250FTA	Драйвер изолированный модульный MOSFET P-канал, 45В, 90мA			94.00
BS250FTA	Драйвер изолированный модульный MOSFET P-канал, 45В, 90мA	ZTX
BS250FTA	Драйвер изолированный модульный MOSFET P-канал, 45В, 90мA	Diodes/Zetex
BS250FTA	Драйвер изолированный модульный MOSFET P-канал, 45В, 90мA	ZETEX
BS250FTA	Драйвер изолированный модульный MOSFET P-канал, 45В, 90мA	DIODES INC.
BS250FTA	Драйвер изолированный модульный MOSFET P-канал, 45В, 90мA	DIODES
STA-180-GOLD 0.6M (КАБЕЛЬ HDMI
КТ610Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный, для ...		8	858.88
КТ610Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный, для ...	МИНСК