|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
|
|
182.40
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...
|
ST1
|
|
|
|
|
|
FDS4935BZ |
|
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FDS4935BZ |
|
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FDS4935BZ |
|
|
FAIRCHILD
|
91
|
|
|
|
|
FDS4935BZ |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FDS4935BZ |
|
|
|
|
|
|
|
|
FDS4935BZ |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
IRFB11N50A |
|
Транзистор полевой N-MOS+D 500V, 11A, 170W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFB11N50A |
|
Транзистор полевой N-MOS+D 500V, 11A, 170W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFB11N50A |
|
Транзистор полевой N-MOS+D 500V, 11A, 170W
|
|
|
107.60
|
|
|
|
IRFB11N50A |
|
Транзистор полевой N-MOS+D 500V, 11A, 170W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFB11N50A |
|
Транзистор полевой N-MOS+D 500V, 11A, 170W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFB11N50A |
|
Транзистор полевой N-MOS+D 500V, 11A, 170W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
ДУ GOLD STAR 105-230A |
|
|
|
|
|
|
|
|
ДУ LG 6710V00070B |
|
|
|
|
|
|