|
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 6.6A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 11A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 52nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1423pF @ 25V |
Power - Max | 170W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRFB11N50A (P-канальные транзисторные модули) Power MOSFET (Vdss=500V, Rds (on) max=0.52ohm, Id=11A)
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N2222A (PN2222A) | Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300) | МИНСК | ||||||
2N2222A (PN2222A) | Транзистор NPN (40В, 0.6A, 0.625Вт, B:100-300) | |||||||
2SK117 | Транзистор полевой | TOSHIBA | ||||||
2SK117 | Транзистор полевой | TOS | ||||||
2SK117 | Транзистор полевой | 1 | 60.00 | |||||
BU808DFH | Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... | ST MICROELECTRONICS | ||||||
BU808DFH | Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... | 182.40 | ||||||
BU808DFH | Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... | ST MICROELECTRONICS SEMI | ||||||
BU808DFH | Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... | ST1 | ||||||
ДУ GOLD STAR 105-230A | ||||||||
ДУ LG 6710V00070B |
|