2SC5244

Версия для печати

Технические характеристики 2SC5244

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В	1500
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В	1500
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)	20
Статический коэффициент передачи тока h21э мин	12
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц	3
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт	200
Корпус	TOP-3L

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SA1295	Транзистор биполярный PNP Hi-Fi, 230V, 17A, 200W, 35MHz
2SA1295	Транзистор биполярный PNP Hi-Fi, 230V, 17A, 200W, 35MHz	SANKEN	34	454.16
2SA1492	Биполярный транзистор Si-P, 180V, 15A, 130W, 20MHz	SANKEN	248	259.44
2SA1492	Биполярный транзистор Si-P, 180V, 15A, 130W, 20MHz	SK
2SA1492	Биполярный транзистор Si-P, 180V, 15A, 130W, 20MHz
2SA1492	Биполярный транзистор Si-P, 180V, 15A, 130W, 20MHz	КИТАЙ
2SA1492	Биполярный транзистор Si-P, 180V, 15A, 130W, 20MHz	ISCSEMI
IRG4PH50KD	Транзистор IGBT	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4PH50KD	Транзистор IGBT	RECTIFIER
IRG4PH50KD	Транзистор IGBT
IRG4PH50KD	Транзистор IGBT	МЕКСИКА
IRG4PH50KD	Транзистор IGBT	INFINEON	384	394.97
IRG4PH50U	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4PH50U	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
IRG4PH50U	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт	КИТАЙ
IRG4PH50U	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4PH50U	Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт	INFINEON	40	296.52
IRL2505	Транзистор полевой N-канальный 55В,104А, 200Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRL2505	Транзистор полевой N-канальный 55В,104А, 200Вт
IRL2505	Транзистор полевой N-канальный 55В,104А, 200Вт	КИТАЙ
IRL2505	Транзистор полевой N-канальный 55В,104А, 200Вт	INFINEON	886	67.53