| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
8
|
428.40
|
|
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W
|
IXYS
|
|
|
|
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W
|
|
7
|
468.00
|
|
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W
|
IXYS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
|
IRFP264 |
|
Транзистор полевой N-MOS 250V, 38A, 280W
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30KD-S |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4BC30KD-S |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
|
533.00
|
|
|
|
|
IRG4BC30KD-S |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
|
290.60
|
|
|
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
SQP-5-5,1 ОМ-5% |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
UF4003 |
|
Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
UF4003 |
|
Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс
|
SENSITRON
|
|
|
|
|
|
|
UF4003 |
|
Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс
|
SMK
|
|
|
|
|
|
|
UF4003 |
|
Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс
|
DC COMPONENTS
|
57
|
1.91
|
|
|
|
|
UF4003 |
|
Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
UF4003 |
|
Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс
|
|
|
3.40
|
|
|
|
|
UF4003 |
|
Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
UF4003 |
|
Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
UF4003 |
|
Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
UF4003 |
|
Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
UF4003 |
|
Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
UF4003 |
|
Ультрабыстрый диод, монтаж в отверстия платы 1А, 200В, 0.05мкс
|
YJ
|
|
|
|
Версия для печати
