|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 23A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 38A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 210nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5400pF @ 25V |
| Power - Max | 280W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
|
IRFP264 (MOSFET) HEXFET® Power MOSFET
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
BA5417 |
|
Усилитель низкой частоты 2x5.0 Вт, 12В/3 Ом | ROHM |
|
|
|
|
|
|
BA5417 |
|
Усилитель низкой частоты 2x5.0 Вт, 12В/3 Ом |
|
94.96 | ||
|
|
|
BA5417 |
|
Усилитель низкой частоты 2x5.0 Вт, 12В/3 Ом | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
BA5417 |
|
Усилитель низкой частоты 2x5.0 Вт, 12В/3 Ом | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|
|
|
|
BA5417 |
|
Усилитель низкой частоты 2x5.0 Вт, 12В/3 Ом | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
|
| CF-0.125-9.1K 5% |
|
Резистор углеродистый | CHINA |
|
|
|||
| CF-0.125-9.1K 5% |
|
Резистор углеродистый |
|
1.20 >500 шт. 0.40 |
||||
| MC34151PG | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MC34151PG |
|
180.08 | ||||||
| MC34151PG | ONS |
|
|
|||||
| MC34151PG | ON SEMICONDUCTO |
|
|
|||||
| MC34151PG | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
|||||
| RHRP860 | FAIR |
|
|
|||||
| RHRP860 | INTERSIL |
|
|
|||||
| RHRP860 |
|
249.20 | ||||||
| RHRP860 | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| RHRP860 | FAIRCHILD |
|
|
|||||
| RHRP860 | INTERSIL |
|
|
|||||
| RHRP860 | Fairchild Semiconductor |
|
|
|||||
| RHRP860 | ONS |
|
|