|
Корпус | 8-SOIC |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Тип монтажа | Поверхностный |
Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 9 V ~ 36 V, ±4.5 V ~ 20 V |
Ток выходной / канал | 25mA |
Ток выходной | 5mA |
Напряжение входного смещения | 300µV |
Ток - входного смещения | 25pA |
Полоса пропускания -3Дб | 4MHz |
Скорость нарастания выходного напряжения | 20 V/µs |
Число каналов | 2 |
Тип усилителя | J-FET |
Lead Free Status / RoHS Status | RoHS non-compliant |
AD712 (Операционные усилители) Dual-Precision, Low-Cost, High-Speed, BiFET Op Amp Также в этом файле: AD712JR, AD712JR-REEL, AD712JR-REEL7
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
0805-NP0-100-2.2ПФC | EPCOS | |||||||
0805-NP0-100-2.2ПФC | HITANO | |||||||
0805-NP0-100-2.2ПФC | TDK (EPCOS) | |||||||
2SC2712 GR | TOS | |||||||
2SC2712 GR | ||||||||
3224W-1-104E | Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... | BOURNS | 1 120 | 206.64 | ||||
3224W-1-104E | Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... | Bourns Inc | ||||||
3224W-1-104E | Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... | |||||||
BAS416,115 | NXP | |||||||
BAS416,115 | NXP Semiconductors | |||||||
BAS416,115 | NEX | |||||||
BAS416,115 | NXP | |||||||
FKP2O100331D00JSSD | WIM | |||||||
FKP2O100331D00JSSD |
|