BAS416,115
|
Версия для печати
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5nA @ 75V |
| Current - Average Rectified (Io) | 200mA (DC) |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Reverse Recovery Time (trr) | 3µs |
| Capacitance @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-76, SOD-323 |
| Корпус | SOD-323 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SC2712 GR | TOS |
|
|
|||||
| 2SC2712 GR |
|
|
||||||
 |
3224W-1-104E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... | BOURNS |
|
|
||
|
|
3224W-1-104E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3224W-1-104E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... |
|
|
|||
 |
3224W-1-503E |
|
11об. потенциометр 50 кОм | BOURNS |
|
|
||
|
|
3224W-1-503E |
|
11об. потенциометр 50 кОм |
|
332.00 | |||
|
|
3224W-1-503E |
|
11об. потенциометр 50 кОм | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3224W-1-503E |
|
11об. потенциометр 50 кОм | BOURNS |
|
|
||
| BAS45AL,115 | NXP |
|
|
|||||
| BAS45AL,115 | NXP Semiconductors |
|
|
|||||
| BAS45AL,115 | NEX |
|
|
|||||
| BAS45AL,115 |
|
|
||||||
| FKP2O100331D00JSSD | WIM |
|
|
|||||
| FKP2O100331D00JSSD |
|
|
