Версия для печати
Технические характеристики ST13007

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	3V @ 2A, 8A
Current - Collector Cutoff (Max)	10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	5 @ 5A, 5V
Power - Max	80W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

ST13007DFP HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR Производитель: STMicroelectronics //www.st.com ST13007 datasheet 220.14Kb 7стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SA1300		Биполярный транзистор PNP lo-sat, 20V, 2A, 0.75W, 150MHz	TOSHIBA
		2SA1300		Биполярный транзистор PNP lo-sat, 20V, 2A, 0.75W, 150MHz	DC COMPONENTS
		2SA1300		Биполярный транзистор PNP lo-sat, 20V, 2A, 0.75W, 150MHz	TOS
		2SA1300		Биполярный транзистор PNP lo-sat, 20V, 2A, 0.75W, 150MHz			10.48
		2SA1300		Биполярный транзистор PNP lo-sat, 20V, 2A, 0.75W, 150MHz	МАЛАЙЗИЯ
		L-383IDT		Светодиод 2.5х5мм красный	KB
		L-383IDT		Светодиод 2.5х5мм красный	KINGBRIGHT	2 552	1.86
		L-383IDT		Светодиод 2.5х5мм красный	KGB	157	17.13
		L-383IDT		Светодиод 2.5х5мм красный			6.80
		L-383IDT		Светодиод 2.5х5мм красный	КИТАЙ
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ON SEMICONDUCTOR
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ST MICROELECTRONICS
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ONS
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz		8	139.50
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ФИЛИППИНЫ
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ISC	1 715	92.07
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	VARIOUS
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	JSMICRO
		КТ117Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа		288	232.50
		КТ117Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа	КРИСТАЛЛ
		КТ117Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа	УЛЬЯНОВСК	2 904	31.62
		КТ117Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа	RUS
		КТ117Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа	УРЛЗ	272	340.96
		КТ117Б		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа	КАЛУГА
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	111	1 229.76
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N		184	1 116.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК	97	1 357.80
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	14
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	82
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	84

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"