|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Конфигурация | Low-Side |
| Тип входа | Inverting |
| Время задержки | 85ns |
| Ток пиковое значение | 2.3A |
| Число конфигураций | 2 |
| Число выходов | 2 |
| Напряжение питания | 6 V ~ 20 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. | MURATA |
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. |
|
16.60 | ||
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. | MURATA |
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. | MUR |
|
|
|
|
|
|
BL01RN1A2A2B |
|
Индуктивность для подавления ВЧ-помех. | Murata Electronics North America |
|
|
|
|
|
|
DIP8-S |
|
Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм | NELTON |
|
|
|
|
|
|
DIP8-S |
|
Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм |
|
6.00 | ||
|
|
|
DIP8-S |
|
Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм | NELTRON |
|
|
|
|
|
|
DIP8-S |
|
Панель DIP-8S с плоскими контактами, шаг 2.54 мм | HSUAN MAO |
|
|
|
| L7824ABD2T-TR | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| L7824ABD2T-TR | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| L7824ABD2T-TR | КИТАЙ |
|
|
|||||
| L7824ABD2T-TR | 852 | 40.92 | ||||||
| КТ815Б2 |
|
|
||||||
| КЭВ-10-1 ГОМ-5% |
|
|