КТ815Б2

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
HER308 (3A 1000V)	диод из серии высокоэффективных диодов с малым временем восстановления
L7824ABD2T-TR		ST MICROELECTRONICS
L7824ABD2T-TR		STMicroelectronics
L7824ABD2T-TR		КИТАЙ
L7824ABD2T-TR			852	40.92
КР531ТЛ3				37.88
КР531ТЛ3		ЭТАЛ
КР531ТЛ3		ЭЛЬТАВ
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		13	14.40
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	1 200	33.57
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	2 026	33.48
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1150
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	3240
КЭВ-10-1 ГОМ-5%