Версия для печати
Технические характеристики L6562N

Корпус	8-DIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-25°C ~ 125°C
Напряжение питания	10.3 V ~ 22 V
Current - Startup	40µA
Частота переключения	1MHz
Mode	Discontinuous (Transition)
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

L6562 (Источники питания с широтно-импульсной модуляцией) TRANSITION-MODE PFC CONTROLLER Также в этом файле: L6562N Производитель: STMicroelectronics //www.st.com L6562N datasheet 216.2Kb 16стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Контроллеры фактора мощности (PFC)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BQ24103RHLR			TEXAS INSTRUMENTS
		BQ24103RHLR					1 040.00
		BQ24103RHLR			TEXAS INSTRUMENTS
		BQ24103RHLR			TEXAS
		L6598D		Высоковольтный резонансный контроллер (до 600V, Fmax=400kHz, -40 to +125C)	ST MICROELECTRONICS
		L6598D		Высоковольтный резонансный контроллер (до 600V, Fmax=400kHz, -40 to +125C)			260.76
		L6598D		Высоковольтный резонансный контроллер (до 600V, Fmax=400kHz, -40 to +125C)	STMicroelectronics
		L6598D		Высоковольтный резонансный контроллер (до 600V, Fmax=400kHz, -40 to +125C)	МАЛАЙЗИЯ
		L6598D		Высоковольтный резонансный контроллер (до 600V, Fmax=400kHz, -40 to +125C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		L6598D		Высоковольтный резонансный контроллер (до 600V, Fmax=400kHz, -40 to +125C)	ST MICROELECTRO
		LG450M0150BPF-2250		Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 450 В	YAGEO
		LG450M0150BPF-2250		Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 450 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		LG450M0150BPF-2250		Электролитический алюминиевый конденсатор 150 мкФ 450 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...		3 640	47.72
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO
		STW20NK50Z		Транзистор N-Канальный+Z-Dio 500V 20A 190W 0,23R	ST MICROELECTRONICS	8	428.40
		STW20NK50Z		Транзистор N-Канальный+Z-Dio 500V 20A 190W 0,23R			319.48
		STW20NK50Z		Транзистор N-Канальный+Z-Dio 500V 20A 190W 0,23R	STMicroelectronics
		STW20NK50Z		Транзистор N-Канальный+Z-Dio 500V 20A 190W 0,23R	КИТАЙ
		STW20NK50Z		Транзистор N-Канальный+Z-Dio 500V 20A 190W 0,23R	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STW20NK50Z		Транзистор N-Канальный+Z-Dio 500V 20A 190W 0,23R	ST MICROELECTRO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"