STP6NK60ZFP

MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STP6NK60ZFP	2 400	58.48
STP6NK60ZFP (ST MICROELECTRONICS)	26	58.45

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3];
Тип: N; Uси: 600 В;
Iс(25°C): 6 А;
Rси(вкл): 1 Ом;
Uзатв(ном): 10 В;
Uзатв(макс): 30 В

Версия для печати

Технические характеристики STP6NK60ZFP

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	SuperMESH™
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2 Ohm @ 3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6A
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	46nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	905pF @ 25V
Power - Max	30W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220FP

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP6NK60ZFP (MOSFET)

N-channel 600 V - 1 ? - 6 A - TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP6NK60ZFP datasheet
443 Кб

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SB892	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 2A, 1W, 150MHz	SANYO
2SB892	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 2A, 1W, 150MHz	SAN
2SB892	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 2A, 1W, 150MHz		8	28.98
2SB892	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 2A, 1W, 150MHz	КИТАЙ
2SB892	Биполярный транзистор Si-P, 60V, 2A, 1W, 150MHz	JCET
2SK3568	N-MOS 500V, 12A, 40W	TOSHIBA
2SK3568	N-MOS 500V, 12A, 40W			220.00
2SK3568	N-MOS 500V, 12A, 40W	TOS
IR2104S	Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	160.06
IR2104S	Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс		4	160.02
IR2104S	Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	ТАИЛАНД
IR2104S	Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	INFINEON
IR2104S	Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	FULIHAO TECH	1	102.29
IR2104S	Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	FULIHAO
IR2104S	Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс	4-7 НЕДЕЛЬ
L6598	SMPS драйвер полумостовой с автогенератором (600V, 0.25/0.45A)	ST MICROELECTRONICS
L6598	SMPS драйвер полумостовой с автогенератором (600V, 0.25/0.45A)			193.24
L6598	SMPS драйвер полумостовой с автогенератором (600V, 0.25/0.45A)	STMicroelectronics
L6598	SMPS драйвер полумостовой с автогенератором (600V, 0.25/0.45A)	СИНГАПУР
L6598	SMPS драйвер полумостовой с автогенератором (600V, 0.25/0.45A)	ST1
L6598	SMPS драйвер полумостовой с автогенератором (600V, 0.25/0.45A)	4-7 НЕДЕЛЬ
STP5NK60ZFP	N-channel 650v @tjmax - 1.2? - 5a to-220fp zener-protected supermesh™ mosfet	ST MICROELECTRONICS	26	106.97
STP5NK60ZFP	N-channel 650v @tjmax - 1.2? - 5a to-220fp zener-protected supermesh™ mosfet			116.00
STP5NK60ZFP	N-channel 650v @tjmax - 1.2? - 5a to-220fp zener-protected supermesh™ mosfet	STMicroelectronics
STP5NK60ZFP	N-channel 650v @tjmax - 1.2? - 5a to-220fp zener-protected supermesh™ mosfet	КИТАЙ
STP5NK60ZFP	N-channel 650v @tjmax - 1.2? - 5a to-220fp zener-protected supermesh™ mosfet	ST1
STP5NK60ZFP	N-channel 650v @tjmax - 1.2? - 5a to-220fp zener-protected supermesh™ mosfet	ST MICROELECTRO

STP6NK60ZFP

MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 30 В

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Транзисторы

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают: