| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
FAIRCHILD
|
2 113
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
2 230
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MOTOROLA
|
1 040
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
DIODES INC.
|
2 063
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
КИТАЙ
|
3
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
|
204
|
5.04
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
DC COMPONENTS
|
34 427
|
1.21
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MD
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
ONS-FAIR
|
1
|
1.45
|
|
|
|
|
1N4006 |
|
Диод 1А, 800В
|
MASTER INSTRUMENT
|
532
|
5.47
|
|
|
|
|
EM518 |
|
|
SHANGHAI LUNSURE
|
|
|
|
|
|
|
EM518 |
|
|
|
12
|
25.20
|
|
|
|
|
EM518 |
|
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
|
EM518 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
EM518 |
|
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
EM518 |
|
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
EM518 |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
EM518 |
|
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
|
EM518 |
|
|
KINGTRONIC
|
|
|
|
|
|
|
EM518 |
|
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
EM518 |
|
|
HOTTECH
|
10 400
|
2.97
|
|
|
|
|
EM518 |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
|
EM518 |
|
|
RUME
|
32 000
|
1.84
|
|
|
|
|
SWT-81-21 K L=12 ЧЕР |
|
|
DPT
|
|
|
|
|
|
|
SWT-81-21 K L=12 ЧЕР |
|
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SWT-81-21 K L=12 ЧЕР |
|
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SWT-81-21 K L=12 ЧЕР |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
|
749
|
15.12
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
14.84
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
337
|
3.72
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
МИНСК
|
312
|
9.30
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
14.05
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
ДАЛЕКС
|
88
|
12.40
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
672
|
|
|
|
|
|
|
КТ502Г |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP универсальный
|
94
|
|
|
|
|
|
|
КЦ201А |
|
|
|
52
|
83.70
|
|
|
|
|
КЦ201А |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
|
КЦ201А |
|
|
СЗТП
|
8
|
667.58
|
|
|
|
|
КЦ201А |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
Версия для печати
