Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | PIC® 12F |
Процессор | PIC |
Размер ядра | 8-Bit |
Скорость | 20MHz |
Периферия | POR, WDT |
Число вводов/выводов | 5 |
Размер программируемой памяти | 1.75KB (1K x 14) |
Тип программируемой памяти | FLASH |
EEPROM Size | 128 x 8 |
Размер памяти | 64 x 8 |
Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2 V ~ 5.5 V |
Преобразователи данных | A/D 4x10b |
Тип осцилятора | Internal |
Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
Корпус (размер) | 8-VDFN Exposed Pad |
PIC12F675 (PIC) 8-разрядный КМОП микроконтроллер с Flash памятью
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SC2383 | Биполярный транзистор NPN 160V, 1A, 0.9W, 20MHz | 11.88 | ||||||
2SC2383 | Биполярный транзистор NPN 160V, 1A, 0.9W, 20MHz | FAIR | ||||||
2SC2383 | Биполярный транзистор NPN 160V, 1A, 0.9W, 20MHz | TOSHIBA | ||||||
BZX55C82V | ||||||||
КР1014КТ1В | 20 | 19.36 | ||||||
КР1014КТ1В | ГРАВИТОН | |||||||
КТ315Г1 | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | 952 | 12.25 | |||||
КТ315Г1 | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | КРЕМНИЙ | ||||||
КТ315Г1 | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | БРЯНСК | 4 004 | 15.80 | ||||
КТ315Г1 | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | МИНСК | 851 | 14.00 | ||||
КТ315Г1 | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | ВОРОНЕЖ | ||||||
КТ315Г1 | Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|