КР1014КТ1В
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
Аналоги:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
КР1014КТ1А |
|
(VN2410) (1990-97г) | 608 | 38.25 | |||
|
|
КР1014КТ1А |
|
(VN2410) (1990-97г) | ГРАВИТОН |
|
|
||
| КР1014КТ1Б | 22 | 22.80 | ||||||
| КР1014КТ1Б | ГРАВИТОН |
|
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SC2383 |
|
Биполярный транзистор NPN 160V, 1A, 0.9W, 20MHz |
|
11.88 | ||
|
|
|
2SC2383 |
|
Биполярный транзистор NPN 160V, 1A, 0.9W, 20MHz | FAIR |
|
|
|
|
|
|
2SC2383 |
|
Биполярный транзистор NPN 160V, 1A, 0.9W, 20MHz | TOSHIBA |
|
|
|
| BZX55C82V |
|
|
||||||
 |
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | 952 | 12.25 | ||
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | КРЕМНИЙ |
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | БРЯНСК | 4 004 | 15.80 | |
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | МИНСК | 851 | 14.00 | |
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | ВОРОНЕЖ |
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
