Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | TrenchFET® |
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 4A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.85A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Power - Max | 1.56W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Корпус | 8-SOICN |
Si4490DY (MOSFET) N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BUZ90 | Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W | ST MICROELECTRONICS | ||||||
BUZ90 | Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W | SIEMENS | ||||||
BUZ90 | Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W | INFINEON | ||||||
BUZ90 | Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W | 64.24 | ||||||
BUZ90 | Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W | КИТАЙ | ||||||
BUZ90 | Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W | ISC | ||||||
BUZ90 | Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W | ISCSEMI | ||||||
HGT1S20N60C3S | FAIR | |||||||
UCC2894DR | 292.00 | |||||||
UCC2894DR | Texas Instruments | |||||||
КР1014КТ111В | ||||||||
КР1014КТ111В | ПРОТОН | |||||||
ЭКФ1533ТМ2 | 48.00 | |||||||
ЭКФ1533ТМ2 | ЗПП | |||||||
ЭКФ1533ТМ2 | ЗПП МИНСК | |||||||
ЭКФ1533ТМ2 | МИНСК | 1 768 | 24.00 | |||||
ЭКФ1533ТМ2 | ИНТЕГРАЛ | 1 | 31.86 | |||||
ЭКФ1533ТМ2 | RUS |
|