BF420

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BF420		9.28

Версия для печати

Технические характеристики BF420

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	300V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 30mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 25mA, 20V
Power - Max	830mW
Frequency - Transition	60MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BF420 (Универсальные биполярные транзисторы)

SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR

Также в этом файле: BF420-AP

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

BF420 datasheet
59.81Kb
5стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N6520		DC COMPONENTS
2N6520			4	15.12
2N6520		1
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	TOSHIBA	80	120.96
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)		1	226.80
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	TOS
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	МАЛАЙЗИЯ
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	JAPAN
GS1G		MICRO SEMICONDUCTOR
GS1G		PANJIT
GS1G		DC COMPONENTS	410 154	1.25
GS1G			7 920	1.27
GS1G		MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
GS1G		OTHER
GS1G		PANJIT
GS1G		MICROSEMI CORP
GS1G		YT
GS1G		HOTTECH
GS1G		YANGJIE	20 000	1.18
ITH-E0805GRNP		INTECH
ITH-E0805GRNP
MURS120		VISHAY
MURS120			6 517	2.48
MURS120		HOTTECH	35 478	5.66
MURS120		YJ	13 882	2.52
MURS120		KEXIN	19 740	3.72