Версия для печати
Технические характеристики IRFZ48

Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	110nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	50A
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 43A, 10V
FET Feature	Standard
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Power - Max	3.7W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Корпус	TO-262-3

IRFZ48N (Мощные полевые МОП транзисторы) N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com IRFZ48 datasheet 68.45Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КП741А

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		16K1 F 10K		Резисторы регулировочные однооборотные		3 720	15.56
		16K1 F 10K		Резисторы регулировочные однооборотные	RUICHI
		16K1 F 10K		Резисторы регулировочные однооборотные	КИТАЙ
		2SC4231		Биполярный транзистор NPN 1200V, 2A, 30W, 8MHz, Tf<300nS		4	64.26
		2SC4231		Биполярный транзистор NPN 1200V, 2A, 30W, 8MHz, Tf<300nS	SHIN
		2SC4231		Биполярный транзистор NPN 1200V, 2A, 30W, 8MHz, Tf<300nS	США
		2SC4231		Биполярный транзистор NPN 1200V, 2A, 30W, 8MHz, Tf<300nS	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		2SC4231		Биполярный транзистор NPN 1200V, 2A, 30W, 8MHz, Tf<300nS	КИТАЙ	8	78.86
		2SC945		Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz		72	15.12
		2SC945		Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz	NEC
		2SC945		Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz	DC COMPONENTS	2 486	3.54
		2SC945		Биполярный транзистор NPN 60V, 0.1A, 0.25W, 250MHz	КИТАЙ
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ON SEMICONDUCTOR
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ST MICROELECTRONICS
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ONS
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz		8	139.50
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ФИЛИППИНЫ
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	ISC	1 576	83.47
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	VARIOUS
		MJE13009		Транзистор биполярный большой мощности NPN 400V, 12A, 100W, 4MHz	JSMICRO
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	111	1 229.76
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N		280	1 357.80
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	14
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	82
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	84

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"