IRL540N
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 36A, 140W Logic-Level)
|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 18A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 36A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 74nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1800pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRL540NS 100V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRL540NS, IRL540NSTRL, IRL540NSTRR
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BA5888FP | ROHM |
|
|
|||||
| BA5888FP |
|
256.00 | ||||||
| BA5888FP | США |
|
|
|||||
| BA5888FP | СОЕДИНЕННЫЕ ШТА |
|
|
|||||
| BA5888FP | 4-7 НЕДЕЛЬ | 627 |
|
|||||
| NP0 75PF 5% 50V | SUNTAN |
|
|
|||||
| SQP 10W 1.2 5% |
|
|
||||||
| К561ИЕ4 |
|
24.00 | ||||||
| ПЭВ-10-22 10% |
|
63.64 |
