SQP 10W 1.2 5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC945P	Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...			12.48
2SC945P	Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...	KEC
2SC945P	Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...	NEC
2SC945P	Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...	UTC
2SC945P	Биполярный маломощный N-P-N транзистор,для применения в переключающих и усилительных ...	HGF
ICE2B265	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W	INFINEON	52	295.80
ICE2B265	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W		1	288.00
ICE2B265	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W	Infineon Technologies
ICE2B265	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W	США
ICE2B265	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
ICE2B265	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=67kHz, Pout=32W	1
SQP 10W 510 5%
SQP 10W 510 5%		YAGEO
ULQ2003D1013TR	7 ключей на составных транзисторах	ST MICROELECTRONICS
ULQ2003D1013TR	7 ключей на составных транзисторах			51.32
ULQ2003D1013TR	7 ключей на составных транзисторах	ALLEGRO
ULQ2003D1013TR	7 ключей на составных транзисторах	STMicroelectronics
ULQ2003D1013TR	7 ключей на составных транзисторах	КИТАЙ
ULQ2003D1013TR	7 ключей на составных транзисторах	ST MICROELECTRONICS SEMI
П210Б	Транзистор германиевый сплавный структуры p-n-p универсальный для применения в ...		372	70.40
П210Б	Транзистор германиевый сплавный структуры p-n-p универсальный для применения в ...	ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
П210Б	Транзистор германиевый сплавный структуры p-n-p универсальный для применения в ...	КВАЗАР