Версия для печати
Технические характеристики L6598

Корпус	16-DIP
Корпус (размер)	16-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Напряжение выходное	600V
Напряжение входное	8 V ~ 16.6 V
Частотный диапозон	61.8 ~ 400kHz
Изоляция выхода	Isolated
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

L6598 (Источники питания с широтно-импульсной модуляцией) High Voltage Resonant Controller Также в этом файле: L6598D Производитель: STMicroelectronics //www.st.com L6598 datasheet 116.11Kb 16стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BFG135		СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт	NXP
		BFG135		СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт	PHILIPS
		BFG135		СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт			37.48
		BFG135		СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт	PHILIPS	4
		BFG135		СВЧ транзистор 6 ГГц, 15/25В, 150мА, 1.0 Вт	ГЕРМАНИЯ
		ECAP 1000/25V 1220 105C WL		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 25 В	SAMWHA
		L4981B			ST MICROELECTRONICS
		L4981B			ST MICROELECTRONICS SEMI
		L4981B			STMicroelectronics
		L4981B					979.20
		L4981B			4-7 НЕДЕЛЬ	712
		L7812ACV			ST MICROELECTRONICS	80	31.50
		L7812ACV					40.00
		L7812ACV			ST MICROELECTRONICS SEMI
		L7812ACV			STMicroelectronics
		L7812ACV			4-7 НЕДЕЛЬ	588
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...		6 720	35.09
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	4-7 НЕДЕЛЬ	623

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"