AD712JR
Сдвоенный операционный усилитель полевой вход, Uсм=3мВ, V=16В/мкС, Iвх=75пА
|
|
Версия для печати
| Корпус | 8-SOIC |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
| Напряжение-выходное, Single/Dual (±) | 9 V ~ 36 V, ±4.5 V ~ 20 V |
| Ток выходной / канал | 25mA |
| Ток выходной | 5mA |
| Напряжение входного смещения | 300µV |
| Ток - входного смещения | 25pA |
| Полоса пропускания -3Дб | 4MHz |
| Скорость нарастания выходного напряжения | 20 V/µs |
| Число каналов | 2 |
| Тип усилителя | J-FET |
| Lead Free Status / RoHS Status | RoHS non-compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
AD712 (Операционные усилители) Dual-Precision, Low-Cost, High-Speed, BiFET Op Amp Также в этом файле: AD712JR, AD712JR-REEL, AD712JR-REEL7
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805-NP0-100-2.2ПФC | EPCOS |
|
|
|||||
| 0805-NP0-100-2.2ПФC | HITANO |
|
|
|||||
| 0805-NP0-100-2.2ПФC | TDK (EPCOS) |
|
|
|||||
| 2SC2712 GR | TOS |
|
|
|||||
| 2SC2712 GR |
|
|
||||||
 |
3224W-1-104E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... | BOURNS | 1 120 | 206.64 | ||
|
|
3224W-1-104E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3224W-1-104E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=100 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ... |
|
|
|||
| BAS416,115 | NXP |
|
|
|||||
| BAS416,115 | NXP Semiconductors |
|
|
|||||
| BAS416,115 | NEX |
|
|
|||||
| BAS416,115 | NXP |
|
|
|||||
| FKP2O100331D00JSSD | WIM |
|
|
|||||
| FKP2O100331D00JSSD |
|
|
