Версия для печати
Технические характеристики 1N5376B

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	87V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.2V @ 1A
Current - Reverse Leakage @ Vr	500nA @ 63V
Допустимые отклонения емкости	±5%
Power - Max	5W
Impedance (Max) (Zzt)	75 Ohm
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	T-18, Axial
Корпус	T-18
Рабочая температура	-65°C ~ 150°C
Tolerance	±5%

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Стабилитроны

 » 

Стабилитроны - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5368BG			ONS
		1N5368BG			ON Semiconductor
		1N5368BG			ON SEMICONDUCTOR
		1N5368BG
		1N5368BG
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный		11 387	33.25
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ОРБИТА
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ИНТЕГРАЛ
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	БРЕСТ
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ЦВЕТОТРОН	294	72.80
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	МИНСК
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	САРАНСК
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	RUS
		2Д522Б		Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный	РОССИЯ
		КД257Б		3А.400В		504	173.40
		КД257Б		3А.400В	НПП ТЭЗ
		КД257Б		3А.400В	ТОМИЛИНО	217	90.00
		КД257Б		3А.400В	RUS
		КД257Б		3А.400В	СЗТП
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные		175	21.00
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	КРЕМНИЙ
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	УЛЬЯНОВСК
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	ВОРОНЕЖ	4 825	16.00
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	БРЯНСК	245	24.00
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	ЭЛЬТАВ
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	МИНСК
		КТ805ИМ		Транзисторы кремниевые эпитаксиальные структуры n-p-n переключательные	ИНТЕГРАЛ
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ		533	56.00
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	КРЕМНИЙ	640	93.48
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	БРЯНСК	1 444	64.00
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	УЛЬЯНОВСК
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	ФРЯЗИНО
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	RUS
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	ЭЛЬТАВ
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	КРЕМН
		КТ829А		Транзистор кремниевый NPN составной усилительный 12А, 60Вт, 100В, 120пФ	ЭЛЬДАГ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"