|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BD647 |
|
|
|
12
|
|
|
|
|
BD647 |
|
|
|
12
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
|
1
|
38.40
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
HOTTECH
|
20 544
|
15.74
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD681 |
|
Транзистор биполярный составной NPN+D Darl, 100V, 4A, 20W (Comp. BD682)
|
1
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
|
|
44.32
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
|
14 574
|
33.25
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН
|
294
|
72.80
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
DC COMPONENTS
|
7 216
|
10.66
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
MIC
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
|
7 904
|
3.48
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
Micro Commercial Co
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
YJ
|
36
|
7.01
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
HOTTECH
|
7
|
7.87
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
DB104 |
|
Диодный мост 1А, 400В, DB-1
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
|
712
|
50.75
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
КИЕВ
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
КВАЗАР
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
МИКРО-М
|
2 637
|
118.08
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
ММ
|
24
|
105.60
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
КВАЗАР КИЕВ
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
МЕЗОН КИШИНЁВ
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
КОНТИНЕНТ
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
МИКРО М
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
УКРАИНА
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
КАЛУГА
|
161
|
32.00
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
КВАДР
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
МИКРОМ
|
|
|
|
|
|
КР140УД608 |
|
Универсальный операционный усилитель с внутренней частотной коррекцией, защитой выхода ...
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
|
1 635
|
12.25
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
БРЯНСК
|
10 795
|
11.40
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3102БМ |
|
Транзистор кремниевый структуры NPN универсальный 150Мгц, 250мВт, 50 В.
|
ТРАНЗИСТОР
|
2 340
|
8.48
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
|
921
|
36.75
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
МИНСК
|
13 185
|
40.00
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
2 400
|
79.70
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
RUS
|
|
|
|