STP80PF55

Версия для печати

Технические характеристики STP80PF55

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	STripFET™
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 40A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	80A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	258nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	5500pF @ 25V
Power - Max	300W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

STP80PF55 (MOSFET)

P-channel 55V - 0.016? - 80A - D2PAK STripFET™ II Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP80PF55 datasheet
249 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ECAP 100/25V 0611 105C	Электролитический алюминиевый радиальный конденсатор 100мкФ, 25В, 105С	JAMICON
ECAP 100/25V 0611 105C	Электролитический алюминиевый радиальный конденсатор 100мкФ, 25В, 105С			8.00
ECAP 100/25V 0611 105C	Электролитический алюминиевый радиальный конденсатор 100мкФ, 25В, 105С	JAM
ECAP 100/25V 0611 105C	Электролитический алюминиевый радиальный конденсатор 100мкФ, 25В, 105С	JB
FR4 100X150X1.5 СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ1-СТ				339.20
FR4 100X150X1.5 СТЕКЛОТЕКСТОЛИТ1-СТ		ЦПТА
МЛТ-0,25-56 КОМ-5%			811	3.60
МЛТ-0,25-6,8 КОМ-5%			174	3.60
МЛТ-0.25-100K