| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
SMBJ13CA |
|
Защитный диод 13В 600Вт SMD
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
SMBJ13CA |
|
Защитный диод 13В 600Вт SMD
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SMBJ13CA |
|
Защитный диод 13В 600Вт SMD
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
SMBJ13CA |
|
Защитный диод 13В 600Вт SMD
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
SMBJ13CA |
|
Защитный диод 13В 600Вт SMD
|
FAIRCHILD
|
24
|
|
|
|
|
SMBJ13CA |
|
Защитный диод 13В 600Вт SMD
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
SMBJ13CA |
|
Защитный диод 13В 600Вт SMD
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
SMBJ13CA |
|
Защитный диод 13В 600Вт SMD
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
SMBJ13CA |
|
Защитный диод 13В 600Вт SMD
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SMBJ13CA |
|
Защитный диод 13В 600Вт SMD
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
SMBJ13CA |
|
Защитный диод 13В 600Вт SMD
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SMBJ13CA |
|
Защитный диод 13В 600Вт SMD
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SMBJ13CA |
|
Защитный диод 13В 600Вт SMD
|
YJ
|
8 198
|
8.52
|
|
|
|
SMBJ13CA |
|
Защитный диод 13В 600Вт SMD
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
SMBJ13CA |
|
Защитный диод 13В 600Вт SMD
|
|
8 328
|
2.33
|
|
|
|
SMBJ13CA |
|
Защитный диод 13В 600Вт SMD
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
SMBJ13CA |
|
Защитный диод 13В 600Вт SMD
|
LTL
|
4
|
12.67
|
|
|
|
SMBJ13CA |
|
Защитный диод 13В 600Вт SMD
|
TSC
|
|
|
|
|
|
SMBJ13CA |
|
Защитный диод 13В 600Вт SMD
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
SMBJ13CA |
|
Защитный диод 13В 600Вт SMD
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
SMBJ13CA |
|
Защитный диод 13В 600Вт SMD
|
HOTTECH
|
1 841
|
4.28
|
|
|
|
SMBJ13CA |
|
Защитный диод 13В 600Вт SMD
|
KEEN SIDE
|
7 192
|
2.37
|
|
|
|
|
К50-24 63 В 470 МКФ |
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
|
5 497
|
55.84
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
МИНСК
|
18 176
|
44.64
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
1 360
|
123.98
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
12231
|
|
|
|
|
|
КТ972А |
|
Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц
|
13221
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
|
20.40
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
7 014
|
33.48
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
1154
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2000
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2276
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2380
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
3398
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ-0,25-5,6 КОМ-5% |
|
|
|
326
|
6.30
|
|