IR2104S


Драйвер полумомтовой. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.13A/0.27A, Тбл =500мкс

Купить IR2104S по цене 193.80 руб.  (без НДС 20%)
IR2104S  Драйвер высоковольтных, высокоскоростных...
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IR2104S (INTERNATIONAL RECTIFIER) 80 193.80 
IR2104S 6 133.20 
IR2104S (FULIHAO TECH) 3 280 98.40 

Драйвер высоковольтных, высокоскоростных МОП-транзисторов или IGBT-транзисторов с зависимыми выходными каналами нижнего и верхнего уровней. Собственная HVIC-технология и стойкая к защелкиванию КМОП-технология позволили создать монолитную конструкцию.
Логический вход совместим с стандартными КМОП или LSTTL выходом. Выходы драйверов отличаются высоким импульсным током буферного каскада, что выполнено для минимизации встречной проводимости драйвера. Выходной канал может быть использован для управления N-канальным силовым МОП-транзистором или IGBT-транзистором с напряжением питания верхнего уровня 10…600В.
Отличительные особенности:
Управляющие каналы разработаны для нагруженного функционированияполностью работоспособны до +600В
Нечувствителен к отрицательным напряжениям при переходных процессах
Стойкость к скорости нарастания напряжения (dV/dt)
Диапазон напряжения питания драйверов 10…20В
Блокировка при снижении напряжения 5В
входная логика с триггерами Шмита
Логика предотвращения поперечной проводимости
Согласованная задержка распространения для обоих каналов
Внутренне установленная пауза при переключении каналов
Выход драйвера верхнего уровня в фазе со входом
Вход выключения прекращает работу обоих каналов
Напряжение смещения VOFFSET не более 600В
Имп.вых. ток к.з Iо± 130 мА/ 270 мА
Выходное напряжение драйверов VOUT 10 – 20В
Время вкл./выкл. 680/150 нс
Пауза 520 нс

Версия для печати

Технические характеристики IR2104S

Корпус8-SOICN
Корпус (размер)8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажаПоверхностный
Рабочая температура-40°C ~ 125°C
Напряжение питания10 V ~ 20 V
Высокое Побочное Напряжение - Максимальная (Начальная загрузка)600V
Число выходов2
Число конфигураций1
Ток пиковое значение210mA
Время задержки680ns
Тип входаNon-Inverting
КонфигурацияHalf Bridge
Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IR2104 (Интерфейсы и соединения)

High and Low Side Driver

Также в этом файле: IR2104S

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IR2104S datasheet
205.08Kb
15стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)     73 653 1.08 
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   PHILIPS 800 6.63 
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   DIOTEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   MCC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   DC COMPONENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   GALAXY 9 642 2.48 
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   OTHER 14 768 цена радиодетали
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   PHILIPS 1 375 цена радиодетали
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   ONS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   NXP 6 187 цена радиодетали
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   YJ 1 025 015 1.97 
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   GALAXY ME Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   HOTTECH 12 436 1.97 
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   LRC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   KLS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   PANJIT Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   SEMTECH 4 3.04 
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   YANGJIE Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   YANGJIE (YJ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   YOUTAI 21 645 1.48 
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   ZH Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   ASEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   TRR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD 14 103 2.01 
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   YIXING Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   SUNTAN Заказ радиодеталей цена радиодетали
BC807-40 Транзистор PNP (Uce=45V, Ic=0.5A, P=300mW, B=250-600@I=100mA, f>100MHz, -55 to +150C)   SHIKUES Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W   INTERNATIONAL RECTIFIER Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W     4 93.60 
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W   МЕКСИКА Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W   INTERNATIONAL RECTIFIER 24 цена радиодетали
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W   INFINEON Заказ радиодеталей цена радиодетали
IRF530N Транзистор полевой N-MOS 100V, 17A, 79W   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM358D Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц   NATIONAL SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM358D Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц   TEXAS INSTRUMENTS 787 8.00 
LM358D Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM358D Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM358D Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц   ST MICROELECTRONICS 1 488 33.15 
LM358D Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц     2 18.00 
LM358D Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц   UTC Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM358D Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM358D Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM358D Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM358D Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц   TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM358D Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM358D Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц   ГЕРМАНИЯ Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM358D Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM358D Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц   TEXAS Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM358D Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц   STMICROELECTR Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM358D Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц   HTC TAEJIN 136 19.68 
LM358D Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
LM358D Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц   IDCHIP 1 065 3.63 
    PIC18F2320-I/SO 4Kx16 Flash 25I/O 40MHz     5 528.00 
    PIC18F2320-I/SO 4Kx16 Flash 25I/O 40MHz   MICRO CHIP Заказ радиодеталей цена радиодетали
    PIC18F2320-I/SO 4Kx16 Flash 25I/O 40MHz   Microchip Technology Заказ радиодеталей цена радиодетали
    PIC18F2320-I/SO 4Kx16 Flash 25I/O 40MHz   MICRO CHIP 4 цена радиодетали
    ZTT-10MHZ     SJK Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ZTT-10MHZ       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    ZTT-10MHZ     SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход