Версия для печати
Технические характеристики AT24C04-10PC

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Формат памяти	EEPROMs - Serial
Тип памяти	EEPROM
Объем памяти	4K (512 x 8)
Скорость	400kHz
Интерфейс подключения	I²C, 2-Wire Serial
Напряжение питания	4.5 V ~ 5.5 V
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Корпус (размер)	8-UDFN Exposed Pad
Корпус	8-MAP (3x4.9)

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Память (EEPROM, Flash, RAM)

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AT24C02B-PU		Последовательная память EEPROM (256x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...	ATMEL	200	30.00
		AT24C02B-PU		Последовательная память EEPROM (256x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...
		AT24C02B-PU		Последовательная память EEPROM (256x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 ...	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
		BCX54-10		Транзистор биполярный SMD NPN 45V 1A 1,3W B:63-160	NXP
		BCX54-10		Транзистор биполярный SMD NPN 45V 1A 1,3W B:63-160	PHILIPS
		BCX54-10		Транзистор биполярный SMD NPN 45V 1A 1,3W B:63-160			17.60
		BCX54-10		Транзистор биполярный SMD NPN 45V 1A 1,3W B:63-160	NXP	20 538
		BCX54-10		Транзистор биполярный SMD NPN 45V 1A 1,3W B:63-160	PHILIPS
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый		4	340.00
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	STMicroelectronics
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	КИТАЙ
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRO

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"