AT24C02B-PU
Последовательная память EEPROM (256x8 bit, 1M циклов, 2-wire serial interface, 400 kHz, 32 pages of 8 bytes, write protect pin, Vcc=2.7-5.5V, -40 to +85C)
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
AT24C02B-PU (ATMEL) |
200 |
30.00
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики AT24C02B-PU
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Формат памяти | EEPROMs - Serial |
| Тип памяти | EEPROM |
| Объем памяти | 2K (256 x 8) |
| Скорость | 400kHz, 1MHz |
| Интерфейс подключения | I²C, 2-Wire Serial |
| Напряжение питания | 1.8 V ~ 5.5 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | 8-PDIP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
AT24C04-10PC |
|
|
ATMEL
|
4
|
53.55
|
|
|
|
|
AT24C04-10PC |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
AT24C04-10PC |
|
|
ATMEL CORPORATION
|
5
|
|
|
|
|
|
AT24C04-10PC |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
M93C46-WBN6P |
|
ИМС EEPROM MICROWIRE
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M93C46-WBN6P |
|
ИМС EEPROM MICROWIRE
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
M93C46-WBN6P |
|
ИМС EEPROM MICROWIRE
|
STMicroelectronics
|
18
|
25.19
|
|
|
|
|
M93C46-WBN6P |
|
ИМС EEPROM MICROWIRE
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
M93C46-WBN6P |
|
ИМС EEPROM MICROWIRE
|
|
|
|
|
|
|
|
M93C86-WBN6 |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
M93C86-WBN6 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
M93C86-WBN6 |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
 |
 |
STA509A |
|
Микросхема
|
|
|
765.20
|
|
|
|
|
STA509A |
|
Микросхема
|
SK
|
|
|
|
|
|
|
STA509A |
|
Микросхема
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
|
STA509A |
|
Микросхема
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
|
4
|
340.00
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
