|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BF483 |
|
NPN 250V, 50mA, 0.8W, >70MHz
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BF483 |
|
NPN 250V, 50mA, 0.8W, >70MHz
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BF483 |
|
NPN 250V, 50mA, 0.8W, >70MHz
|
|
|
|
|
|
|
BF483 |
|
NPN 250V, 50mA, 0.8W, >70MHz
|
|
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
400
|
122.40
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
|
2
|
115.20
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
INFINEON
|
1
|
31.49
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
YOUTAI
|
|
|
|
|
|
IRF540N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.052 ...
|
WS
|
196
|
70.00
|
|
|
|
IRF9530N |
|
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом 100В, 14А, 79Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
52
|
132.60
|
|
|
|
IRF9530N |
|
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом 100В, 14А, 79Вт
|
|
4
|
93.60
|
|
|
|
IRF9530N |
|
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом 100В, 14А, 79Вт
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
IRF9530N |
|
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом 100В, 14А, 79Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF9530N |
|
P-канальный полевой транзистор с обратным диодом 100В, 14А, 79Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
MJE243G |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
MJE243G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MJE243G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MJE243G |
|
|
|
6
|
136.80
|
|
|
|
MJE243G |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
|
4 040
|
47.72
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|