Версия для печати
Технические характеристики DS1307ZN

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение питания, батареи	2 V ~ 3.5 V
Напряжение питания	4.5 V ~ 5.5 V
Интерфейс подключения	I²C
Формат даты	YY-MM-DD-dd
Объем памяти	56B
Формат времени	HH:MM:SS (12/24 hr)
Возможности	Leap Year, NVSRAM, Square Wave Output
Тип	Clock/Calendar
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant

DS1307 64 X 8 Serial Real Time Clock Также в этом файле: DS1307ZN Производитель: Dallas Semiconductor //www.dalsemi.com DS1307ZN datasheet 225.1Kb 14стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Часы/Таймеры

 » 

Часы реального времени

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2РМГ22Б10Ш1Е2Б		Вилка 2РМГ22 блочная без кожуха, 10 контактов с покрытием никель		428	2 334.59
		2РМГ22Б10Ш1Е2Б		Вилка 2РМГ22 блочная без кожуха, 10 контактов с покрытием никель	RUS
		2РМГ22Б10Ш1Е2Б		Вилка 2РМГ22 блочная без кожуха, 10 контактов с покрытием никель	РОССИЯ
		2РМГ22Б10Ш1Е2Б		Вилка 2РМГ22 блочная без кожуха, 10 контактов с покрытием никель	АТЛАНТ	9	2 724.99
		AD780BRZ		Прецизионный источник опорного напряжения V=2,5/3 V, tol=+/-1mV, T=-40.+85C	ANALOG DEVICES	463	878.22
		AD780BRZ		Прецизионный источник опорного напряжения V=2,5/3 V, tol=+/-1mV, T=-40.+85C			1 600.00
		AD780BRZ		Прецизионный источник опорного напряжения V=2,5/3 V, tol=+/-1mV, T=-40.+85C	ANALOG
		AD780BRZ		Прецизионный источник опорного напряжения V=2,5/3 V, tol=+/-1mV, T=-40.+85C	ANALOG DEVICES
		AD780BRZ		Прецизионный источник опорного напряжения V=2,5/3 V, tol=+/-1mV, T=-40.+85C	Analog Devices Inc
		AD780BRZ		Прецизионный источник опорного напряжения V=2,5/3 V, tol=+/-1mV, T=-40.+85C	КИТАЙ
		AD780BRZ		Прецизионный источник опорного напряжения V=2,5/3 V, tol=+/-1mV, T=-40.+85C	4-7 НЕДЕЛЬ
		AD780BRZ		Прецизионный источник опорного напряжения V=2,5/3 V, tol=+/-1mV, T=-40.+85C	10
		AD780BRZ		Прецизионный источник опорного напряжения V=2,5/3 V, tol=+/-1mV, T=-40.+85C	21
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	ON SEMICONDUCTOR	399	1.86
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт			6.00
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	ONS	56	2.29
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	ON SEMICONDUCTOR	6 564
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	ON SEMICONDUCTO
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	ONSEMICONDUCTOR
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	FAIRCHILD	62
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	HOTTECH
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	KLS
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	SEMTECH
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	0.00
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	1
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	FUXIN	21 336	2.16
		MMBT3904LT1G		Полевой транзистор для SMD монтажа -/+ 40В, -/+200мА, 150мВт	649
		RC1206FR-071KL			YAGEO	571 970	1.50  >100 шт.   0.75
		RC1206FR-071KL
		RC1206FR-071KL
		SI2301BDS-T1-E3		P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R	VISHAY	2 280	41.27
		SI2301BDS-T1-E3		P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R	SILICONIX
		SI2301BDS-T1-E3		P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R			40.80
		SI2301BDS-T1-E3		P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R	SILICONIX	2 087
		SI2301BDS-T1-E3		P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R	VISHAY	1 588
		SI2301BDS-T1-E3		P-Ch -20V -2,4A 0,7W 0,1R	Vishay/Siliconix

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"