Версия для печати
Технические характеристики REF196GSZ

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Ток выходной	30mA
Ток в рабочей точке(ВАХ)	15µA
Количество каналов	1
Напряжение входное	3.4 V ~ 15 V
Температурный коэфициент	25ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±10mV
Напряжение выходное	3.3V
Reference Type	Series, Precision
Серия	REF19
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Tolerance	±10mV

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Опорные источники

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ECAP 100/16V 0511 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 16 В, 105С	JAMICON
		ECAP 100/16V 0511 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 16 В, 105С			6.00
		ECAP 100/16V 0511 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 16 В, 105С	JAM
		ECAP 100/16V 0511 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 100мкФ, 16 В, 105С	JB
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INTERNATIONAL RECTIFIER	36
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INFINEON	22 080	19.68
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А		2 408	9.36
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	INFINEON
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	HOTTECH
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	KLS
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	TR
		IRLML6402TRPBF		P-канальный полевой транзистор 20В, 3.78А	TRR	6 960	4.92
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)		1	180.00
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NSC
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	TEXAS INSTRUMENTS
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	TEXAS
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NS
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NATIONAL	7	17.91
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	1
		LQH3NPN220NG0L			Murata Electronics North America
		LQH3NPN220NG0L
		SN74AHC1G04QDCKRQ1			TEXAS INSTRUMENTS
		SN74AHC1G04QDCKRQ1					18.68

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"