Версия для печати
Технические характеристики REF194GSZ

Корпус	8-SOIC
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Ток выходной	30mA
Ток в рабочей точке(ВАХ)	15µA
Количество каналов	1
Напряжение входное	4.6 V ~ 15 V
Температурный коэфициент	25ppm/°C
Допустимые отклонения емкости	±10mV
Напряжение выходное	4.5V
Reference Type	Series, Precision
Серия	REF19
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Tolerance	±10mV

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Опорные источники

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		LM1117DT-3.3		Регулятор напряжения линейный 3.3В, 0.8А	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1117DT-3.3		Регулятор напряжения линейный 3.3В, 0.8А			118.08
		LM1117DT-3.3		Регулятор напряжения линейный 3.3В, 0.8А	NSC	40	193.80
		LM1117DT-3.3		Регулятор напряжения линейный 3.3В, 0.8А	NATIONAL SEMICONDUCTOR	48
		LM1117DT-3.3		Регулятор напряжения линейный 3.3В, 0.8А	ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
		LM1117DT-3.3		Регулятор напряжения линейный 3.3В, 0.8А	TEXAS INSTRUMENTS
		LM1117DT-3.3		Регулятор напряжения линейный 3.3В, 0.8А	TEXAS
		LM1117DT-3.3		Регулятор напряжения линейный 3.3В, 0.8А	NS
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)		1	180.00
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NSC
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	ВЕЛИКОБРИТАНИЯ
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	TEXAS INSTRUMENTS
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	TEXAS
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NS
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	NATIONAL	7	17.91
		LM1117DT-5.0		СН ``low drop`` (Vout=5.0V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V, Udrop=1.2V@0.8A, 0 to +125C)	1
		LQH3NPN220NG0L			Murata Electronics North America
		LQH3NPN220NG0L
		REF193GSZ		Источник опорного напряжения на 5В +2мВ 5ppm/°C, - 40°C ... +85°C	ANALOG DEVICES	1 620	360.00
		REF193GSZ		Источник опорного напряжения на 5В +2мВ 5ppm/°C, - 40°C ... +85°C	ANALOG
		REF193GSZ		Источник опорного напряжения на 5В +2мВ 5ppm/°C, - 40°C ... +85°C	ANALOG DEVICES
		REF193GSZ		Источник опорного напряжения на 5В +2мВ 5ppm/°C, - 40°C ... +85°C	Analog Devices Inc
		REF193GSZ		Источник опорного напряжения на 5В +2мВ 5ppm/°C, - 40°C ... +85°C	США
		REF193GSZ		Источник опорного напряжения на 5В +2мВ 5ppm/°C, - 40°C ... +85°C	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		REF193GSZ		Источник опорного напряжения на 5В +2мВ 5ppm/°C, - 40°C ... +85°C
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	ANALOG DEVICES
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	ANALOG
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	ANALOG DEVICES
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	Analog Devices Inc
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	США
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C			302.80
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C			302.80

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2024 АО "Контест"